burst谐音记忆

大家好！今天让创意岭的小编来大家介绍下关于burst谐音记忆的问题，以下是小编对此问题的归纳整理，让我们一起来看看吧。

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本文目录:

• 1、英语不好，记不住单词，怎么办？

• 2、照相机中burst模式和continuous模式的区别

• 3、显卡内存DDR,DDR2,DDR3,有什么区别，哪个最好

• 4、As she walked along a , a door suddenly burst...

一、英语不好，记不住单词，怎么办？

1、英语不好，记不住单词。个人觉得有一下两个方面的原因导致你记不住单词。

1、记单词方法不对。在记单词的时候最好是看到单词能知道意思、发音。刚开始可以跟读，跟着读单词，然后去记这个单词的意思。还有单词记住要经常复习，不要记住一遍然后就不复习了。多温习。

2、用的时间不多。每天记得单词太多了，刚开始可以把记单词的数量降下来。不要记多了，记多了，肯定记不住。

3、记单词是一个长期的过程。每天都要记。时间的力量。在记住单词的时候可以用雷哥单词等单词评估软件，测试一下自己的单词量，，然后每天记住，等一个月下来，在测试自己的词汇量，这样能看到自己单词量的上涨，更有动力坚持。

二、照相机中burst模式和continuous模式的区别

高速连拍模式是数码相机优势的体现，它能让摄影者一张紧接着一张没有停顿的拍摄数张照片，这种功能通常较少使用在传统胶卷照相机上，只有配备特制小型马达的胶卷单镜反光相机才具有连拍功能。根据照相机的类型和型号不同，各种照相机的最高连拍速度（fps）和最多连拍张数是不同的。最高连拍速度（fps）由快门速度和照相机图像处理速度决定。最多连拍张数由缓冲器的大小（上文已具体谈及）和记忆卡读写速度决定。

随着科技不断发展，数码相机的每秒最多拍摄张数（fps）和最多连拍张数不断增加，连拍功能变得越来越强大。当然，轻巧型数码相机的连拍能力比准专业级数码相机弱，准专业级数码相机又比专业数码单反弱。通常在高速连拍模式中，轻便型数码相机每秒最多拍摄1～3张照片，每次连拍最多拍摄10张照片，然而，专业数码单反每秒最多拍摄7张（以上）照片，每次连拍能拍摄数十张JPEG和RAW格式的照片。一些更先进的专业级照相机甚至允许摄影者先以较慢速度继续进行连拍，然后突然转到高速（全速）连拍，直到记忆卡被写满图片数据为止。

三、显卡内存DDR,DDR2,DDR3,有什么区别，哪个最好

什么是DDR1

有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。尽管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。

DDR1规格

DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR-266: DDR-SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行 DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行 DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高规格） DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）

DDR2.2G

[1][2][3]

什么是 DDR2

DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良 .

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据预读取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

DDR3与DDR2的比较

DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ：

1.突发长度（Burst Length，BL）

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

2.寻址时序（Timing）

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和

DDR3

CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

DDR2内存的频率

其中 DDR2 的频率对照表如右图所示。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

4.DDR3新增ZQ校准功能

ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

参考电压分成两个

在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

点对点连接（Point-to-Point，P2P）

这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。

面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

DDR4

据介绍美国JEDEC将会在不久之后启动DDR4内存峰会，而这也标志着DDR4标准制定工作的展开。一般认为这样的会议召开之后新产品将会在3年左右的时间内上市，而这也意味着我们将可能在2011年的时候使用上DDR4内存，最快也有可能会提前到2010年。

JEDEC表示在7月份于美国召开的存储器大会MEMCON07SanJose上时就考虑过DDR4内存要尽可能得继承DDR3内存的规格。使用Single-endedSignaling( 传统SE信号)信号方式则表示64-bit存储模块技术将会得到继承。不过据说在召开此次的DDR4峰会时，DDR4 内存不仅仅只有Single-endedSignaling方式，大会同时也推出了基于微分信号存储器标准的DDR4内存。

DDR4规格

因此DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。

根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。

DDR5

新一代的显存会有较低的能量消耗量，且数据传输为每秒6 Gbps

直至目前为止，我们只看到极少数的绘图卡使用gddr4显存，但三星已发布下一代的gddr5记忆体，并声称它的样本已经发向了主要的图形处理器公司。

当然，三星并不是第一家提供gddr5的样品的公司。海力士Hynix和奇梦达双方也宣布了类似的零件，但三星的记忆已经进了一步提供了数据传输速率6gb/sec ，超过标准5gb/sec 。因此，三星大胆声称它的产品为“世界上速度最快的记忆体”并且说，它的产品“能够传输移动影像及相关数据，在24千兆字节每秒。”

除了增加带宽， gddr5记忆体也比较低功耗，三星公司声称其记忆体运作，只是1.5v 。

三星是目前采样512MB的gddr5芯片（ 16 MB × 32 ） ， mueez 迪恩，三星绘图记忆体的市场营销主管，他说，该记忆体“将使种图形硬体的表现将推动软件开发商提供了一个新台阶眼膨化游戏。不过，我们可能要等待一段时间之前， gddr5成为普遍。三星公司估计，该记忆体将成为”在顶级产品细分市场中的事实上的标准“。

显然DDR3是最好的

四、As she walked along a , a door suddenly burst...

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